EEPROM和Flash都是非易失性存储器，就是你装备掉电重启后，数据还会保留，若是是RAM的话掉电数据直接就丢了。

    下面从几个方面去先容下EEPROM和Flash的区别：

    1.读取方式

EEPROM和Flash都接纳随机读。梢酝ü刂分苯踊峒娲⑵髦械氖荨
     2.写入方式
     EEPROM和Flash的写入方式纷歧样，EEPROM可以an字节举行写入，而Flash通常需要an块举行写入。尚有就是，在Flash中，要写入一个数据，需要先擦除一整个块，然后再将新数据写入gai块。
     3.擦除方式
     EEPROM和Flash的擦除方式纷歧样，EEPROM可以an字节举行擦除，而Flash一ban需要an块举行擦除。也就是说，在Flash中，要擦除一个数据，通常需要先擦除一整个块，然后再将gai块中需要保留的数据重新写入，比EEPROM操作贫困一些。
    4.擦写速率
    EEPROM的擦写速率比Flash慢得多，擦写速率会受到许多因素的影响，包罗使用的存储器型号、使用的接口类型、写入和擦除的数据量、芯片温度等等。
    5.存储密度
    EEPROM和Flash的存储密度更高，可以存储更多的数据。
    6.寿命
    EEPROM和Flash的寿命是非取决使用方式、应用chang景等等。
    一ban来说，EEPROM的寿命可能会更长一些，由于它可以举行单独的字节单元的写入和擦除，而Flash需要举行整个页面或扇区的擦除。这意味着EEPROM可以更无邪地治理存储器，并镌汰对存储单元的擦写ci数。
    可是，这并不意味着所有qing况下EEPROM的寿命都市更长。
    7.价钱
    Flash比EEPROM更自制。
    8.通讯接口差异
    Flash许多是用SPI协议接口、EEPROM许多是IIC协议接口。